• 碳化硅肖特基二极管的优点及应用
• MDD碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍，达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。其优点是：1.碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。2.碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3.碳化硅有高的热导率，因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 碳化硅肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-08-09 10:50:00

• 肖特基二极管沟槽工艺与平面工艺的区别
• MDD品牌平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压,这些独特的性质使得其在太阳能电池,开关电源、汽车以及手机等多个领域都有着巨大的应用潜力。但是,在反向偏压下,镜像力导致的势垒降低效应,导致了平面肖特基二极管阻断能力差的缺点。TMBS结构的出现很好地解决这个问题,其主要有两个肖特基二极管结相结合的双势垒金属肖特基结二极管器件、利用PN结与肖特基结结合的含PN结构的肖特基二极管,以及利用金属-氧化物-半导体结构和肖特基结结合的沟槽式势垒肖特基二极管(TMBS),并且TMBS由于优异的高频特性及结构参数的易调性,受到了更为广泛的关注。沟槽芯片优势，具有较低的动态内阻、VF与IR的易...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-06-07 10:03:00

• MDD肖特基整流二极管是理想选择为什么是沟槽呢？
• 肖特基二极管与平面肖特基二极管反向恢复特性的区别是什么？是否可以实现很好的平衡？在不增加反向泄漏电流的情况下提升反向阻断电压是目前平面肖特基整流二极管设计所面临的一个挑战。平面肖特基的局限性在于等电位的势垒线倾向于聚集在金属电极附近而不是衬底，当在表面附近超过临界电场时，会导致较早地击穿。而通过将trench沟槽蚀刻到硅中并填充导电的多晶硅，可有效地耗尽反向漂移区内的漂移电子，并使漂移区电场均匀分布。这意味着Trench沟槽肖特基二极管系列在VF和IR之间实现了很好的平衡。与平面肖特基二极管相比，沟槽肖特基器件具有更宽的安全工作范围（SOA）。由于对热冲击的稳健性，这使得它们在环境温度较高的...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-06-02 10:10:00

• MDD肖特基二极管应该注意哪些？
• MDD肖特基二极管的应用范围是哪些？那在使用应该注意哪些呢？肖特基二极管的使用范围是比较广泛的有大有小，大到汽车、大功率电器等，小到充电器，小功率电器等二极管在使用之前应该做好充足的准备工作测试好二极管的良率和性能的好坏做好之前的准备工作后在正式投入大批量生产，这样可以做到最大可能的减少损失。使用肖特基二极管应该注意如下几点:1.应用电路的实际工作电流应小于肖特基二极管的正向额定电流If，一般不大于额定If的60%。2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的最高反向击穿电压Vrrm，一般不大于额定电压Vrrm的80%。3.应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的最高结温...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-05-31 10:05:00

• MDD碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器中的应用优势有哪些？
• MDD碳化硅肖特基二极管应用有哪些？它的优势有哪些呢？对比硅的快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管在BOOST电路中的应用具有很大的优势，由于碳化硅肖特基二极管是肖特基结构，且是多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题，因此碳化硅肖特基二极管可以降低对应换流回路中的开关损耗，在更高的频率环境中工作，且在相同工作频率下具有更高的效率。在光伏逆变器中，碳化硅肖特基二极管主要用于BOOST电路，如图2所示为SingleBoost，是光伏逆变器中使用较为广泛的，图2中的D1在使用碳化硅肖特基二极管时，可以降低对应换流回路中开关管的开关损耗，降低温升，从而减小散热器的体积，可以提高频率，减小...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 碳化硅肖特基二极管 二极管 肖特基 MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-05-26 10:26:00

• MDD肖特基二极管压降在电流以及温度是如何的关系？
• MDD肖特基二极管与导通电流是什么关系呢？与温度有什么关联呢？通常在选择肖特基二极管时，主要会看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道它们在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。正向导通压降与导通电流的关系在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V,硅管约为0.6V）以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降并不是恒定不变。正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-05-17 09:38:00

• MDD低压降肖特基二极管的优点有哪些？
• MDD低压降肖特基二极管在电子电路应用时起什么作用，有哪些优点？低压降肖特基二极管是一种具有开关频率高和正向压降低优点的二极管，它的反恢复时间可以小到几纳秒，正向导通压降0.4~0.6V左右，而这种二极管的整流电流却可以达到几千安，所以适宜在低电压、大电流的条件下工作。例如：电脑主机电源的输出整流二极管采用的就是低压降肖特基二极管，因为开关电源的频率很高，而整流时如果用普通二极管会造成二极管损耗增大发热，甚至可能完全不能工作，而肖特基二极管的反向恢复时间短，速度快，正向导通压降也小，所以常用来做开关电源整流。肖特基二极管规格书下载：SS34HETHRUSS320HESOD-123HE2012...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-05-10 09:47:00

• 无法拆下肖特基二极管时，如何测量好坏？
•  MDD肖特基二极管在使用中，无法拆下电路插件时，是否有方法检测肖特基二极管的好坏？有两种情况如下： 1、可接通电源测肖特基二极管输出端电压，如不正常或无电压输出即可说明肖特基二极管坏。 2、也可在不带电请况下测出单个肖特基二极管的正反向电阻正反向电阻差别小的这只肖特基二极管就有问题。肖特基二极管规格书下载：MBRF30100TCTITO-220AB230215_看图王.pdf
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-04-13 10:00:00

• MDD肖特基二极管不同封装的功能有哪些？
• MDD肖特基二极管封装有哪些？肖特基二极管在电子电路中起到关键的作用，那么，肖特基二极管不同封装有哪些功能呢？肖特基二极管分贴片和插件这两种类别，一种是常见三个脚的肖特基二极管，印字是“例：MBR20100FCT”;第二种是贴片肖特基二极管，贴片肖特基二极管的印字多数是用型号来做印字的。肖特基二极管是属于一种低功耗、超高速、反向恢复时间短的二极管，所以肖特基二极管的用途有很多种，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管等使用。一般在通信电源、变频器等中比较常见，常用的封装形式有：TO-220AB、ITO-220AB、TO-247...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-04-13 09:58:00

• SIC肖特基二极管常见的问题有哪些？
• 肖特基二极管在电路使用中会出现哪些问题？应该如何判断？1.硅和锗肖特基二极管有什么区别？硅和锗之间的主要区别在于锗具有电子，但硅没有任何电子。硅和锗都属于元素周期表的同一族（第14族）。因此，它们在外部能级中有四个电子。2.硅和锗有什么区别？硅和锗具有四个价电子，但在给定温度下，锗将具有比硅更多的自由电子和更高的电导率。硅在电子设备中的应用比锗更广泛，因为它可以在更高的温度下使用。3.硅和锗晶体管有什么区别？为了回答您的实际问题，硅和锗晶体管之间存在两个显着差异：锗的熔点低，而锗晶体管对高温的耐受性要小得多。锗结的正向电压降低于硅。4.为什么硅二极管比锗二极管好？锗晶体的结构会在更高的温度下...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-04-08 10:23:00